三星宣布完成5nm EUV工艺研发:性能提升10%功耗降低20%

今天,三星官网发文称已完成5nm FinFET工艺技术的开发,并且已经可以为用户提供样品。与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而可以在更小的芯片面积当中提供更强的性能并且功耗更低。同时在6nm和7nm工艺方面也有了很大的进展。

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除了从7nm到5nm的功率性能区域(PPA)改进之外,用户还可以使用三星的EUV技术,在金属层图案化中使用EUV光刻,并减少掩膜层,同时可以提供更好的保真度。三星还将自己在7nm时代的所有知识产权用到了5nm工艺的研发当中,因此可以减少客户从7nm过渡到5nm的成本,并可以预先验证设计生态系统,从而缩短5nm产品开发的流程和时间。

三星Foundry与其“三星高级代工生态系统(SAFE)”合作伙伴密切合作,为三星5纳米提供强大的设计基础架构,包括工艺设计套件(PDK),设计方法(DM),电子设计自动化(EDA)工具和IP自2018年第四季度开始提供。此外,三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆(MPW)服务。

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三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae表示:“功完成5nm开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力,响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

目前,三星已经准备好了5nm的样品,同时6nm已经成功流片,7nm可更快的批量生产。相比之下,台积电5nm工艺已经进入试产阶段。

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